S1JR2 Giá cả (USD) [2750629chiếc]
- 1 pcs$0.01345
- Một phần số:
- S1JR2
- nhà chế tạo:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Miêu tả cụ thể:
- 1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R.
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Transitor - IGBT - Mảng, Điốt - RF, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Transitor - Chức năng lập trình, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Thyristors - TRIAC and Transitor - IGBT - Mô-đun ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1JR2 electronic components. S1JR2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JR2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1JR2 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
S1JR2
nhà chế tạo :
Taiwan Semiconductor Corporation
Sự miêu tả :
1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R
Loạt :
-
Tình trạng một phần :
Active
Loại điốt :
Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1.1V @ 1A
Tốc độ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
1.5µs
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
1µA @ 600V
Điện dung @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
DO-214AC, SMA
Gói thiết bị nhà cung cấp :
DO-214AC (SMA)
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
-55°C ~ 175°C
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Bộ phận nóng
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置