Một phần số :
SIR800DP-T1-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
2.3 mOhm @ 15A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
133nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
5125pF @ 10V
Tản điện (Max) :
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
PowerPAK® SO-8
Gói / Vỏ :
PowerPAK® SO-8