Một phần số :
SI4447DY-T1-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Ta)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
15V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
72 mOhm @ 4.5A, 15V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
14nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
805pF @ 20V
Tản điện (Max) :
1.1W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
8-SO
Gói / Vỏ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)