Một phần số :
SPB08P06PGATMA1
nhà chế tạo :
Infineon Technologies
Sự miêu tả :
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
8.8A (Ta)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
13nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 25V
Tản điện (Max) :
42W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
D²PAK (TO-263AB)
Gói / Vỏ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB