Một phần số :
IPD95R2K0P7ATMA1
nhà chế tạo :
Infineon Technologies
Sự miêu tả :
MOSFET N-CH 950V 4A TO252
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
950V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
3.5V @ 80µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
10nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 400V
Tản điện (Max) :
37W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
PG-TO252-3
Gói / Vỏ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63