IXYS - IXFE36N100

KEY Part #: K6400462

IXFE36N100 Giá cả (USD) [2029chiếc]

  • 1 pcs$22.52327
  • 10 pcs$22.41121

Một phần số:
IXFE36N100
nhà chế tạo:
IXYS
Miêu tả cụ thể:
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Điốt - Zener - Đơn, Transitor - IGBT - Đơn, Thyristors - SCR and Thyristors - SCR - Mô-đun ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in IXYS IXFE36N100 electronic components. IXFE36N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFE36N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFE36N100 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IXFE36N100
nhà chế tạo : IXYS
Sự miêu tả : MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
Loạt : HiPerFET™
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 240 mOhm @ 18A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 5.5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 455nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 25V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 580W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Chassis Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : SOT-227B
Gói / Vỏ : SOT-227-4, miniBLOC