ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320E-3DBLA2

KEY Part #: K937542

IS46DR16320E-3DBLA2 Giá cả (USD) [17223chiếc]

  • 1 pcs$2.66046

Một phần số:
IS46DR16320E-3DBLA2
nhà chế tạo:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Miêu tả cụ thể:
IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ. DRAM 512M 1.8V 32Mx16 Ext Temp DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Đồng hồ / Thời gian - Dòng trễ, PMIC - Bộ chuyển đổi RMS sang DC, Giao diện - Bộ mở rộng I / O, Logic - So sánh, PMIC - Bộ chuyển đổi AC DC, Bộ chuyển đổi ngoại tu, Đồng hồ / Thời gian - Bộ đệm đồng hồ, Trình điều k, Giao diện - Công tắc tương tự, Bộ ghép kênh, Bộ tá and Nhúng - Vi điều khiển ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA2 electronic components. IS46DR16320E-3DBLA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320E-3DBLA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320E-3DBLA2 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IS46DR16320E-3DBLA2
nhà chế tạo : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Sự miêu tả : IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại bộ nhớ : Volatile
Định dạng bộ nhớ : DRAM
Công nghệ : SDRAM - DDR2
Kích thước bộ nhớ : 512Mb (32M x 16)
Tần số đồng hồ : 333MHz
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang : 15ns
Thời gian truy cập : 450ps
Giao diện bộ nhớ : Parallel
Cung cấp điện áp : 1.7V ~ 1.9V
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 105°C (TA)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : 84-TFBGA
Gói thiết bị nhà cung cấp : 84-TWBGA (8x12.5)

Tin mới nhất

Bạn cũng có thể quan tâm
  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor