Một phần số :
F3L200R12W2H3B11BPSA1
nhà chế tạo :
Infineon Technologies
Sự miêu tả :
IGBT MODULE VCES 650V 200A
Tình trạng một phần :
Active
Cấu hình :
Three Phase Inverter
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) :
1200V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) :
100A
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic :
1.75V @ 15V, 100A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) :
1mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce :
11.5nF @ 25V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 150°C
Gói thiết bị nhà cung cấp :
Module