Một phần số :
TPW1R306PL,L1Q
nhà chế tạo :
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
260A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
91nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
8100pF @ 30V
Tản điện (Max) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
175°C
Gói thiết bị nhà cung cấp :
8-DSOP Advance