ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR32200C-6BLI

KEY Part #: K939935

IS43LR32200C-6BLI Giá cả (USD) [27370chiếc]

  • 1 pcs$2.00303
  • 240 pcs$1.99307

Một phần số:
IS43LR32200C-6BLI
nhà chế tạo:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Miêu tả cụ thể:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Đồng hồ / Thời gian - Đồng hồ thời gian thực, Giao diện - Cảm biến, cảm ứng điện dung, Giao diện - Công tắc tương tự, Bộ ghép kênh, Bộ tá, Nhúng - Vi điều khiển, Vi xử lý, Mô-đun FPGA, Giao diện - Bộ mở rộng I / O, Nhúng - Vi điều khiển, PMIC - Bộ điều chỉnh điện áp - Tuyến tính and Logic - Bộ tạo và kiểm tra chẵn lẻ ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32200C-6BLI electronic components. IS43LR32200C-6BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR32200C-6BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR32200C-6BLI Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IS43LR32200C-6BLI
nhà chế tạo : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Sự miêu tả : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại bộ nhớ : Volatile
Định dạng bộ nhớ : DRAM
Công nghệ : SDRAM - Mobile LPDDR
Kích thước bộ nhớ : 64Mb (2M x 32)
Tần số đồng hồ : 166MHz
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang : 15ns
Thời gian truy cập : 5.5ns
Giao diện bộ nhớ : Parallel
Cung cấp điện áp : 1.7V ~ 1.95V
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : 90-TFBGA
Gói thiết bị nhà cung cấp : 90-TFBGA (8x13)

Tin mới nhất

Bạn cũng có thể quan tâm
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit