Một phần số :
IPB036N12N3GATMA1
nhà chế tạo :
Infineon Technologies
Sự miêu tả :
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
120V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
4V @ 270µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
211nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
13800pF @ 60V
Tản điện (Max) :
300W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
PG-TO263-7
Gói / Vỏ :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB