Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB100LP120N

KEY Part #: K6533277

VS-GB100LP120N Giá cả (USD) [1197chiếc]

  • 1 pcs$36.16500
  • 24 pcs$34.44288

Một phần số:
VS-GB100LP120N
nhà chế tạo:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Miêu tả cụ thể:
IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - IGBT - Mô-đun, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Thyristors - DIAC, SIDAC, Thyristors - SCR - Mô-đun, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Transitor - Chức năng lập trình, Transitor - FET, MOSFET - Đơn and Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100LP120N electronic components. VS-GB100LP120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB100LP120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB100LP120N Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : VS-GB100LP120N
nhà chế tạo : Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả : IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại IGBT : -
Cấu hình : Single
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) : 1200V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) : 200A
Sức mạnh tối đa : 658W
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic : 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) : 1mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce : 7.43nF @ 25V
Đầu vào : Standard
Nhiệt điện trở NTC : No
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Chassis Mount
Gói / Vỏ : INT-A-Pak
Gói thiết bị nhà cung cấp : INT-A-PAK

Bạn cũng có thể quan tâm
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT200DA60T3AG

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 600V 290A SP3.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.