Vishay Siliconix - SI3459BDV-T1-GE3

KEY Part #: K6418319

SI3459BDV-T1-GE3 Giá cả (USD) [320410chiếc]

  • 1 pcs$0.11544
  • 3,000 pcs$0.09778

Một phần số:
SI3459BDV-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay Siliconix
Miêu tả cụ thể:
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Mục đích đặc biệt, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Transitor - IGBT - Đơn, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Transitor - IGBT - Mảng and Thyristors - TRIAC ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Siliconix SI3459BDV-T1-GE3 electronic components. SI3459BDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3459BDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3459BDV-T1-GE3 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : SI3459BDV-T1-GE3
nhà chế tạo : Vishay Siliconix
Sự miêu tả : MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Loạt : TrenchFET®
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : P-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 216 mOhm @ 2.2A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 12nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 30V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : 6-TSOP
Gói / Vỏ : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Bạn cũng có thể quan tâm
  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IPA65R280C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220.

  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.