Microsemi Corporation - JANTXV1N5550

KEY Part #: K6440334

JANTXV1N5550 Giá cả (USD) [5117chiếc]

  • 1 pcs$7.24070
  • 10 pcs$6.58318
  • 25 pcs$6.08942
  • 100 pcs$5.59570
  • 250 pcs$5.10197

Một phần số:
JANTXV1N5550
nhà chế tạo:
Microsemi Corporation
Miêu tả cụ thể:
DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 200V HRV
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Thyristors - SCR, Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Điốt - Chỉnh lưu - Đơn, Mô-đun trình điều khiển điện and Thyristors - DIAC, SIDAC ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5550 electronic components. JANTXV1N5550 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5550, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5550 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : JANTXV1N5550
nhà chế tạo : Microsemi Corporation
Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL
Loạt : Military, MIL-PRF-19500/420
Tình trạng một phần : Active
Loại điốt : Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 5A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 1.2V @ 9A
Tốc độ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : 2µs
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 1µA @ 200V
Điện dung @ Vr, F : -
Kiểu lắp : Through Hole
Gói / Vỏ : B, Axial
Gói thiết bị nhà cung cấp : -
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -65°C ~ 175°C

Bạn cũng có thể quan tâm
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM