BAV202-GS18 Giá cả (USD) [3225988chiếc]
- 1 pcs$0.01147
- 10,000 pcs$0.01080
- Một phần số:
- BAV202-GS18
- nhà chế tạo:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Miêu tả cụ thể:
- DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 625mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Transitor - FET, MOSFET - Đơn, Điốt - Zener - Đơn, Transitor - Mục đích đặc biệt, Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Thyristors - SCR and Transitor - FET, MOSFET - Mảng ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV202-GS18 electronic components. BAV202-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV202-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV202-GS18 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
BAV202-GS18
nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80
Loạt :
Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần :
Active
Loại điốt :
Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
150V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
250mA (DC)
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1V @ 100mA
Tốc độ :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
50ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
100nA @ 150V
Điện dung @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
SOD-80 Variant
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SOD-80 QuadroMELF
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
150°C (Max)
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Bộ phận nóng
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置