Vishay Siliconix - SQD50N10-8M9L_GE3

KEY Part #: K6402023

SQD50N10-8M9L_GE3 Giá cả (USD) [121110chiếc]

  • 1 pcs$0.30541
  • 2,000 pcs$0.28504

Một phần số:
SQD50N10-8M9L_GE3
nhà chế tạo:
Vishay Siliconix
Miêu tả cụ thể:
MOSFET N-CHAN 100V TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Thyristors - TRIAC, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Điốt - Chỉnh lưu - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Điốt - Zener - Đơn, Thyristors - SCR - Mô-đun and Transitor - IGBT - Mảng ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Siliconix SQD50N10-8M9L_GE3 electronic components. SQD50N10-8M9L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD50N10-8M9L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD50N10-8M9L_GE3 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : SQD50N10-8M9L_GE3
nhà chế tạo : Vishay Siliconix
Sự miêu tả : MOSFET N-CHAN 100V TO252
Loạt : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 8.9 mOhm @ 15A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 70nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 136W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : TO-252AA
Gói / Vỏ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Bạn cũng có thể quan tâm
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.