Một phần số :
PMFPB8032XP,115
nhà chế tạo :
Nexperia USA Inc.
Sự miêu tả :
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Ta)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
8.6nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 10V
Tính năng FET :
Schottky Diode (Isolated)
Tản điện (Max) :
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
6-HUSON-EP (2x2)
Gói / Vỏ :
6-UDFN Exposed Pad