nhà chế tạo :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Sự miêu tả :
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN
Tình trạng một phần :
Obsolete
Loại FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET :
Logic Level Gate
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
11.5A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
8.9 mOhm @ 11.5A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
15nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
1110pF @ 15V
Sức mạnh tối đa :
1.9W, 2.1W
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
8-DFN (5x6)