RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Giá cả (USD) [16879chiếc]
- 1 pcs$2.71471
- Một phần số:
- RMLV0414EGSB-4S2#AA1
- nhà chế tạo:
- Renesas Electronics America
- Miêu tả cụ thể:
- IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II. SRAM SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -40TO85C
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: PMIC - Giám sát viên, Thu thập dữ liệu - Kết thúc tương tự (AFE), Giao diện - Tổng hợp kỹ thuật số trực tiếp (DDS), Giao diện - Công tắc tương tự - Mục đích đặc biệt, Giao diện - Mô-đun - IC và Mô-đun, Tuyến tính - Bộ khuếch đại - Mục đích đặc biệt, Thu thập dữ liệu - Bộ điều khiển màn hình cảm ứng and PMIC - HOẶC Bộ điều khiển, Điốt lý tưởng ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Renesas Electronics America RMLV0414EGSB-4S2#AA1 electronic components. RMLV0414EGSB-4S2#AA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMLV0414EGSB-4S2#AA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
RMLV0414EGSB-4S2#AA1
nhà chế tạo :
Renesas Electronics America
Sự miêu tả :
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Loạt :
-
Tình trạng một phần :
Active
Loại bộ nhớ :
Volatile
Định dạng bộ nhớ :
SRAM
Công nghệ :
SRAM
Kích thước bộ nhớ :
4Mb (256K x 16)
Tần số đồng hồ :
-
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang :
45ns
Thời gian truy cập :
45ns
Giao diện bộ nhớ :
Parallel
Cung cấp điện áp :
2.7V ~ 3.6V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
44-TSOP II
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Bộ phận nóng
- AT49BV802AT-70CI-T
- MT48H16M32L2F5-10
- AT25640AN-10SU-1.8
- AT93C56A-10TU-1.8
- AT49F002A-55PI
- AT45D161-RI
- AT28C010-12JI
- AT28BV64-30TC
- AT28HC256F-12SI
- QMP29GL064A90TFIR20H
- W25Q32FWBYIG TR
- 70V9279L15PRF8
- MT53D768M64D8RG-053 WT:D TR
- MT49H16M18CFM-33:B TR
- S25FL164K0XMFV001
- IS43LD16640A-3BLI-TR
- IS46TR16128AL-15HBLA2
- IS61LF51218A-7.5TQI-TR
- IS61QDB21M36-250M3
- CY7C1471V33-117AXC
- AT29LV040A-25TC
- AT29C040A-15TI
- M29W128GH7AZS6E
- MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
- MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR
- IDT71V416S15PH8
- 71342SA25J8
- IDT71024S12Y8
- IS42S16400F-6BLI
- CY7C1011DV33-10BVIT
- M25P16-VMN6P
- AT49BV002AN-70VI
- IS41LV16100B-60KL-TR
- CY62167DV18LL-55BVXI
- CY7C1387D-167AXC
- S25FS512SDSNFI011
- W631GG8MB15I
- S25FL064LABNFV011
- S29GL064N11FFIS10
- S29CD016J0MQFM113
选择你的位置