Infineon Technologies - FP150R12KT4BPSA1

KEY Part #: K6532527

FP150R12KT4BPSA1 Giá cả (USD) [364chiếc]

  • 1 pcs$127.12410

Một phần số:
FP150R12KT4BPSA1
nhà chế tạo:
Infineon Technologies
Miêu tả cụ thể:
IGBT MODULE 1200V 150A.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Transitor - Mục đích đặc biệt, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Điốt - Zener - Mảng, Transitor - FET, MOSFET - Đơn and Transitor - IGBT - Đơn ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Infineon Technologies FP150R12KT4BPSA1 electronic components. FP150R12KT4BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP150R12KT4BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP150R12KT4BPSA1 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : FP150R12KT4BPSA1
nhà chế tạo : Infineon Technologies
Sự miêu tả : IGBT MODULE 1200V 150A
Loạt : EconoPIM™3
Tình trạng một phần : Active
Loại IGBT : Trench Field Stop
Cấu hình : Three Phase Inverter
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) : 1200V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) : 150A
Sức mạnh tối đa : -
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 150A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) : 1mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce : 9.35nF @ 25V
Đầu vào : Three Phase Bridge Rectifier
Nhiệt điện trở NTC : Yes
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Chassis Mount
Gói / Vỏ : Module
Gói thiết bị nhà cung cấp : Module

Bạn cũng có thể quan tâm
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.