MMBD6050-HE3-18 Giá cả (USD) [3481810chiếc]
- 1 pcs$0.01121
- 10,000 pcs$0.01115
- Một phần số:
- MMBD6050-HE3-18
- nhà chế tạo:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Miêu tả cụ thể:
- DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Điốt - Zener - Mảng, Transitor - FET, MOSFET - Đơn, Transitor - Mục đích đặc biệt, Thyristors - DIAC, SIDAC, Transitor - IGBT - Mảng, Thyristors - SCR - Mô-đun and Transitor - IGBT - Đơn ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MMBD6050-HE3-18 electronic components. MMBD6050-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBD6050-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMBD6050-HE3-18 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
MMBD6050-HE3-18
nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
Loạt :
Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần :
Active
Loại điốt :
Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
70V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
200mA
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1.1V @ 100mA
Tốc độ :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
4ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
100nA @ 50V
Điện dung @ Vr, F :
-
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SOT-23
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
150°C (Max)
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Bộ phận nóng
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置