[4005chiếc]
- Một phần số:
- EGF1B-1HE3/67A
- nhà chế tạo:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Miêu tả cụ thể:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - SCR, Điốt - Zener - Mảng, Transitor - IGBT - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Transitor - IGBT - Mảng and Thyristors - TRIAC ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1B-1HE3/67A electronic components. EGF1B-1HE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1B-1HE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGF1B-1HE3/67A Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
EGF1B-1HE3/67A
nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Loạt :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tình trạng một phần :
Discontinued at Digi-Key
Loại điốt :
Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1V @ 1A
Tốc độ :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
50ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
5µA @ 100V
Điện dung @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
DO-214BA
Gói thiết bị nhà cung cấp :
DO-214BA (GF1)
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
-65°C ~ 175°C
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Bộ phận nóng
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置