Một phần số :
HTMN5130SSD-13
nhà chế tạo :
Diodes Incorporated
Sự miêu tả :
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Tình trạng một phần :
Active
Loại FET :
2 N-Channel (Dual)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
55V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
130 mOhm @ 3A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
8.9nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
218.7pF @ 25V
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gói / Vỏ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
8-SO