Vishay Semiconductor Diodes Division - UH1BHE3_A/H

KEY Part #: K6458003

UH1BHE3_A/H Giá cả (USD) [793899chiếc]

  • 1 pcs$0.04916
  • 7,200 pcs$0.04892

Một phần số:
UH1BHE3_A/H
nhà chế tạo:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Miêu tả cụ thể:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0A 100 Volt 25ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - IGBT - Mô-đun, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Mô-đun trình điều khiển điện, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Điốt - Zener - Đơn and Transitor - Mục đích đặc biệt ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH1BHE3_A/H electronic components. UH1BHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH1BHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH1BHE3_A/H Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : UH1BHE3_A/H
nhà chế tạo : Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Loạt : Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần : Active
Loại điốt : Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 1.05V @ 1A
Tốc độ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : 25ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 1µA @ 100V
Điện dung @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : DO-214AC, SMA
Gói thiết bị nhà cung cấp : DO-214AC (SMA)
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -55°C ~ 175°C

Bạn cũng có thể quan tâm
  • GL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns