Một phần số :
VS-GT50TP120N
nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
Tình trạng một phần :
Active
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) :
1200V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) :
100A
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 50A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) :
5mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce :
6.24nF @ 30V
Nhiệt độ hoạt động :
175°C (TJ)
Gói / Vỏ :
INT-A-PAK (3 + 4)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
INT-A-PAK