Một phần số :
CY14B116N-BZ25XI
nhà chế tạo :
Cypress Semiconductor Corp
Sự miêu tả :
IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA
Tình trạng một phần :
Active
Loại bộ nhớ :
Non-Volatile
Định dạng bộ nhớ :
NVSRAM
Công nghệ :
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Kích thước bộ nhớ :
16Mb (1M x 16)
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang :
25ns
Thời gian truy cập :
25ns
Giao diện bộ nhớ :
Parallel
Cung cấp điện áp :
2.7V ~ 3.6V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 85°C (TA)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
165-FBGA (15x17)