Một phần số :
SIR624DP-T1-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
18.6A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
60 mOhm @ 10A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
23nC @ 7.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
1110pF @ 100V
Tản điện (Max) :
52W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
PowerPAK® SO-8
Gói / Vỏ :
PowerPAK® SO-8