Một phần số :
SIA416DJ-T1-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
11.3A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
83 mOhm @ 3.2A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
10nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
295pF @ 50V
Tản điện (Max) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Gói / Vỏ :
PowerPAK® SC-70-6