Một phần số :
HGT1S10N120BNS
nhà chế tạo :
ON Semiconductor
Sự miêu tả :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Tình trạng một phần :
Not For New Designs
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) :
1200V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) :
35A
Hiện tại - Bộ sưu tập Xung (Icm) :
80A
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Chuyển đổi năng lượng :
320µJ (on), 800µJ (off)
Td (bật / tắt) @ 25 ° C :
23ns/165ns
Điều kiện kiểm tra :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
-
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Vỏ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị nhà cung cấp :
TO-263AB