Một phần số :
GA06JT12-247
nhà chế tạo :
GeneSiC Semiconductor
Sự miêu tả :
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Tình trạng một phần :
Obsolete
Công nghệ :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc) (90°C)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vss :
220 mOhm @ 6A
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Nhiệt độ hoạt động :
175°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
TO-247AB