Vishay Siliconix - SI7925DN-T1-E3

KEY Part #: K6523970

[3988chiếc]


    Một phần số:
    SI7925DN-T1-E3
    nhà chế tạo:
    Vishay Siliconix
    Miêu tả cụ thể:
    MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Trong kho
    Thời hạn sử dụng:
    Một năm
    Chip từ:
    Hồng Kông
    RoHS:
    Phương thức thanh toán:
    Cách gửi hàng:
    Thể loại gia đình:
    KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - SCR - Mô-đun, Mô-đun trình điều khiển điện, Transitor - IGBT - Đơn, Transitor - JFE, Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Transitor - IGBT - Mảng, Điốt - Zener - Đơn and Điốt - Chỉnh lưu - Đơn ...
    Lợi thế cạnh tranh:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7925DN-T1-E3 electronic components. SI7925DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7925DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7925DN-T1-E3 Thuộc tính sản phẩm

    Một phần số : SI7925DN-T1-E3
    nhà chế tạo : Vishay Siliconix
    Sự miêu tả : MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
    Loạt : TrenchFET®
    Tình trạng một phần : Obsolete
    Loại FET : 2 P-Channel (Dual)
    Tính năng FET : Logic Level Gate
    Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 12V
    Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 4.8A
    Rds On (Max) @ Id, Vss : 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
    Vss (th) (Tối đa) @ Id : 1V @ 250µA
    Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 12nC @ 4.5V
    Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Sức mạnh tối đa : 1.3W
    Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Kiểu lắp : Surface Mount
    Gói / Vỏ : PowerPAK® 1212-8 Dual
    Gói thiết bị nhà cung cấp : PowerPAK® 1212-8 Dual

    Bạn cũng có thể quan tâm