nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Tình trạng một phần :
Active
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1V @ 1A
Tốc độ :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
50ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
5µA @ 100V
Điện dung @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Gói / Vỏ :
DO-213AB, MELF (Glass)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
DO-213AB
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
-65°C ~ 175°C