Một phần số :
SI3552DV-T1-E3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Tình trạng một phần :
Active
Loại FET :
N and P-Channel
Tính năng FET :
Logic Level Gate
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vss :
105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
3.2nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Vỏ :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị nhà cung cấp :
6-TSOP