Littelfuse Inc. - MG12200D-BA1MM

KEY Part #: K6532541

MG12200D-BA1MM Giá cả (USD) [749chiếc]

  • 1 pcs$61.99090
  • 10 pcs$57.93921
  • 25 pcs$55.91332

Một phần số:
MG12200D-BA1MM
nhà chế tạo:
Littelfuse Inc.
Miêu tả cụ thể:
IGBT 1200V 300A 1400W PKG D.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - FET, MOSFET - Đơn, Thyristors - TRIAC, Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Transitor - Chức năng lập trình, Transitor - IGBT - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Transitor - FET, MOSFET - Mảng and Thyristors - SCR - Mô-đun ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Littelfuse Inc. MG12200D-BA1MM electronic components. MG12200D-BA1MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG12200D-BA1MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG12200D-BA1MM Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : MG12200D-BA1MM
nhà chế tạo : Littelfuse Inc.
Sự miêu tả : IGBT 1200V 300A 1400W PKG D
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại IGBT : -
Cấu hình : Half Bridge
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) : 1200V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) : 300A
Sức mạnh tối đa : 1400W
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic : 1.8V @ 15V, 200A (Typ)
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) : 1mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce : 14.9nF @ 25V
Đầu vào : Standard
Nhiệt điện trở NTC : No
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Chassis Mount
Gói / Vỏ : Module
Gói thiết bị nhà cung cấp : D3

Bạn cũng có thể quan tâm
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.