Samsung Semiconductor - K4A4G165WE-BIWE

KEY Part #: K7359586

[15824chiếc]


    Một phần số:
    K4A4G165WE-BIWE
    nhà chế tạo:
    Samsung Semiconductor
    Miêu tả cụ thể:
    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Trong kho
    Thời hạn sử dụng:
    Một năm
    Chip từ:
    Hồng Kông
    RoHS:
    Phương thức thanh toán:
    Cách gửi hàng:
    Thể loại gia đình:
    KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: GDDR6, LPDDR3, LPDDR4X, GDDR5, DDR4, DDR3, SLC Nand and LPDDR4 ...
    Lợi thế cạnh tranh:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BIWE electronic components. K4A4G165WE-BIWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G165WE-BIWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G165WE-BIWE Thuộc tính sản phẩm

    Một phần số : K4A4G165WE-BIWE
    nhà chế tạo : Samsung Semiconductor
    Sự miêu tả : 4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Loạt : DDR4
    Tỉ trọng : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    Tốc độ : 3200 Mbps
    Vôn : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    gói : 96FBGA
    trạng thái sản phẩm : Mass Production

    Bạn cũng có thể quan tâm
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.