Infineon Technologies - DF80R12W2H3_B11

KEY Part #: K6532737

DF80R12W2H3_B11 Giá cả (USD) [1956chiếc]

  • 1 pcs$22.13400

Một phần số:
DF80R12W2H3_B11
nhà chế tạo:
Infineon Technologies
Miêu tả cụ thể:
IGBT MODULE VCES 1200V 160A.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - FET, MOSFET - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Transitor - IGBT - Mảng, Thyristors - TRIAC, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Điốt - Zener - Mảng and Thyristors - DIAC, SIDAC ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Infineon Technologies DF80R12W2H3_B11 electronic components. DF80R12W2H3_B11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF80R12W2H3_B11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF80R12W2H3_B11 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : DF80R12W2H3_B11
nhà chế tạo : Infineon Technologies
Sự miêu tả : IGBT MODULE VCES 1200V 160A
Loạt : *
Tình trạng một phần : Active
Loại IGBT : -
Cấu hình : -
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) : -
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) : -
Sức mạnh tối đa : -
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic : -
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) : -
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce : -
Đầu vào : -
Nhiệt điện trở NTC : -
Nhiệt độ hoạt động : -
Kiểu lắp : -
Gói / Vỏ : -
Gói thiết bị nhà cung cấp : -

Bạn cũng có thể quan tâm
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT