nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Tình trạng một phần :
Active
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
800V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
3A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1.15V @ 2.5A
Tốc độ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
2.5µs
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
10µA @ 800V
Điện dung @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Gói thiết bị nhà cung cấp :
DO-214AB (SMC)
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
-55°C ~ 150°C