Alliance Memory, Inc. - AS4C2M32S-6BIN

KEY Part #: K938185

AS4C2M32S-6BIN Giá cả (USD) [19471chiếc]

  • 1 pcs$2.26079
  • 10 pcs$2.06512
  • 25 pcs$2.02563
  • 50 pcs$2.01171
  • 100 pcs$1.80467
  • 250 pcs$1.79772
  • 500 pcs$1.68551
  • 1,000 pcs$1.61379

Một phần số:
AS4C2M32S-6BIN
nhà chế tạo:
Alliance Memory, Inc.
Miêu tả cụ thể:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 3.3V, 2M x 32 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Mục đích đặc biệt của âm thanh, Logic - Chức năng xe buýt vạn năng, PMIC - Bộ điều chỉnh điện áp - Bộ điều khiển tuyến, Giao diện - Bộ lọc - Hoạt động, Đồng hồ / Thời gian - Bộ tạo đồng hồ, PLL, Bộ tổng, Giao diện - Bộ đệm tín hiệu, Repeater, Bộ chia, Nhúng - Vi điều khiển - Ứng dụng cụ thể and Giao diện - Công tắc tương tự - Mục đích đặc biệt ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BIN electronic components. AS4C2M32S-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C2M32S-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C2M32S-6BIN Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : AS4C2M32S-6BIN
nhà chế tạo : Alliance Memory, Inc.
Sự miêu tả : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại bộ nhớ : Volatile
Định dạng bộ nhớ : DRAM
Công nghệ : SDRAM
Kích thước bộ nhớ : 64Mb (2M x 32)
Tần số đồng hồ : 166MHz
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang : 2ns
Thời gian truy cập : 5.4ns
Giao diện bộ nhớ : Parallel
Cung cấp điện áp : 3V ~ 3.6V
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : 90-TFBGA
Gói thiết bị nhà cung cấp : 90-TFBGA (8x13)

Bạn cũng có thể quan tâm
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)