Vishay Siliconix - SIHJ7N65E-T1-GE3

KEY Part #: K6405372

SIHJ7N65E-T1-GE3 Giá cả (USD) [71259chiếc]

  • 1 pcs$0.54871
  • 3,000 pcs$0.51409

Một phần số:
SIHJ7N65E-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay Siliconix
Miêu tả cụ thể:
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Transitor - IGBT - Mô-đun, Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Điốt - Zener - Đơn, Điốt - Chỉnh lưu cầu and Transitor - FET, MOSFET - Mảng ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Siliconix SIHJ7N65E-T1-GE3 electronic components. SIHJ7N65E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHJ7N65E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHJ7N65E-T1-GE3 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : SIHJ7N65E-T1-GE3
nhà chế tạo : Vishay Siliconix
Sự miêu tả : MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 7.9A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 598 mOhm @ 3.5A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 44nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 96W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : PowerPAK® SO-8
Gói / Vỏ : PowerPAK® SO-8

Bạn cũng có thể quan tâm