Nexperia USA Inc. - PMEG2010BELD,315

KEY Part #: K6456497

PMEG2010BELD,315 Giá cả (USD) [1771238chiếc]

  • 1 pcs$0.04248
  • 10,000 pcs$0.04227
  • 30,000 pcs$0.03877
  • 50,000 pcs$0.03731

Một phần số:
PMEG2010BELD,315
nhà chế tạo:
Nexperia USA Inc.
Miêu tả cụ thể:
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD882. Schottky Diodes & Rectifiers 20V 0.5A low VF MEGA Barrier Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Thyristors - DIAC, SIDAC, Transitor - IGBT - Mô-đun, Transitor - Chức năng lập trình, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Điốt - Zener - Mảng, Transitor - IGBT - Mảng and Điốt - Chỉnh lưu - Mảng ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG2010BELD,315 electronic components. PMEG2010BELD,315 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG2010BELD,315, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMEG2010BELD,315 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : PMEG2010BELD,315
nhà chế tạo : Nexperia USA Inc.
Sự miêu tả : DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD882
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại điốt : Schottky
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 20V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 490mV @ 1A
Tốc độ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : 1.6ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 200µA @ 20V
Điện dung @ Vr, F : 40pF @ 1V, 1MHz
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : SOD-882
Gói thiết bị nhà cung cấp : DFN1006-2
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : 150°C (Max)

Bạn cũng có thể quan tâm
  • DSEP8-03AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA.

  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • FESB8BTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM

  • UGB8CTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8ATHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM