Global Power Technologies Group - GHIS040A120S-A1

KEY Part #: K6532682

GHIS040A120S-A1 Giá cả (USD) [2220chiếc]

  • 1 pcs$19.50956
  • 10 pcs$18.24244
  • 25 pcs$16.87153
  • 100 pcs$15.81706
  • 250 pcs$14.76259

Một phần số:
GHIS040A120S-A1
nhà chế tạo:
Global Power Technologies Group
Miêu tả cụ thể:
IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Điốt - Chỉnh lưu - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Thyristors - SCR - Mô-đun, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn and Mô-đun trình điều khiển điện ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS040A120S-A1 electronic components. GHIS040A120S-A1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS040A120S-A1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS040A120S-A1 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : GHIS040A120S-A1
nhà chế tạo : Global Power Technologies Group
Sự miêu tả : IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại IGBT : Trench Field Stop
Cấu hình : Single
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) : 1200V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) : 80A
Sức mạnh tối đa : 480W
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic : 2.6V @ 15V, 40A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) : 1mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce : 5.15nF @ 30V
Đầu vào : Standard
Nhiệt điện trở NTC : No
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Chassis Mount
Gói / Vỏ : SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị nhà cung cấp : SOT-227

Bạn cũng có thể quan tâm
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.