nhà chế tạo :
Infineon Technologies
Sự miêu tả :
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Tình trạng một phần :
Obsolete
Loại FET :
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET :
Logic Level Gate
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
7.4nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 10V
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Vỏ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
8-SO