BAV201-GS08 Giá cả (USD) [3225988chiếc]
- 1 pcs$0.01147
- 12,500 pcs$0.01080
- Một phần số:
- BAV201-GS08
- nhà chế tạo:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Miêu tả cụ thể:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Mục đích đặc biệt, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Transitor - IGBT - Mảng, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Thyristors - SCR and Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV201-GS08 electronic components. BAV201-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV201-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV201-GS08 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
BAV201-GS08
nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
Loạt :
Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần :
Active
Loại điốt :
Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
250mA (DC)
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1V @ 100mA
Tốc độ :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
50ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
100nA @ 100V
Điện dung @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
SOD-80 Variant
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SOD-80 QuadroMELF
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
150°C (Max)
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Bộ phận nóng
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置